看好 DRAM、NAND 型快闪存储器的发展,三星电子、SK 海力士传出今年的投资额,将刷新历史新高纪录。据韩联社报导,三星、SK 海力士今年的投资额将高达 30 万亿韩元(相当于 267 亿美元)。
其中,三星已在上半年对设备投资了 12.5 万亿韩元,比去年增长11%。去年三星电子半导体设备投资额为113亿美元,同比增长13%。
三星电子半导体设备投资金额连续两年居全球首位,专家估计,三星今年的投资总额或许会攀升至 20 万亿韩元,而 V-NAND 型快闪存储器、影像感测器和晶圆代工业务将是投资重点。
上个月的今天,韩国三星电子表示,计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(约合186.3亿美元),以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。
作为世界最大的记忆芯片生产商,三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外,位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元,将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。
以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本,但制程愈趋于先进,研发难度提高,投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变,SK海力士(SK Hynix)期盼借由技术创新开拓全球市场。
据韩媒每日经济报导,SK海力士决定在今年对设备投资 9.6 万亿韩元来提高下半年,10纳米级DRAM生产比例,并持续增加14纳米NAND Flash产量,以取得更具优势的成本竞争力,提高事业获利性。
SK海力士表示,在变化多端的半导体市场与竞争结构中,唯有透过大胆进行研发投资加强技术竞争力,才能维持市场领导地位。
不少人担忧,三星、SK 海力士投资大增,恐怕会让产能过剩,最终导致供给过多、报价下滑。
美国存储器大厂美光最近就因为市场忧心供需失衡,股价连番下挫,自 7 月 24 日起跌迄今,股价已重挫逾 11%。
不过,美系外资分析师 Christopher Danely 发布研究报告指出,美光股价近来虽因市场担忧存储器产能过多而下滑,但今年增加的 DRAM 资本支出(从 89 亿美元上升至 99 亿美元)其实并不多,不致于会导致产业景气降温。